InGaAs相较EMMI有什么不同呢？

侦测时间短：InGaAs相机侦测缺陷的时间比EMMI短5~10倍，这大大提高了失效分析的效率。侦测微小电流及先进制程缺陷：InGaAs相机能够侦测到微小电流以及先进制程中的缺陷，这对于提高芯片的质量和可靠性至关重要。侦测轻微Metal Bridge：在芯片制造过程中，Metal Bridge（金属桥接）是一种常见的缺陷。

InGaAs EMMI与传统EMMI的区别 InGaAs EMMI与传统EMMI具有相同的原理和功能，但InGaAs具有更高的灵敏度，并且可以检测更长的波长范围（900-1700 nm），相对于传统EMMI的350-1100 nm波长范围，InGaAs EMMI在近红外区域具备更高的检测能力。

在失效分析中，OBIRCH与EMMI技术各有特色，OBIRCH通过检测电阻变化实现快速定位，而EMMI则依赖光子检测精确定位。两种技术在不同的失效模式分析中展现出其独特优势，为半导体器件的失效诊断提供了有力工具。

InGaAs EMMI和传统EMMI具有相同的原理和功能，但InGaAs具有更高的灵敏度，并且可以检测更长的波长范围（900-1700 nm），这与红外（IR）的光谱波长相同。两种探测光子的传感器都是由电子-空穴复合和热载流子触发的，但InGaAs的灵敏度更高，使其在某些应用场景下更具优势。

定位漏电位置是查明失效原因的关键步骤，常用手段包括液晶漏电定位、EMMI（CCD/InGaAs）和激光诱导技术。其中，激光诱导技术因精度高、非破坏性等特点被广泛应用，但国内常误认为激光诱导仅指OBIRCH，实际上TIVA和VBA也是同类技术，只是专利归属不同。